PIPS探測(cè)器性能超越了傳統(tǒng)的金硅面壘(SSB)型探測(cè)器和擴(kuò)散注入(DJ)型探測(cè)器，這兩種探測(cè)器的制造方法仍與 1960 年相同。

PIPS 探測(cè)器是Mirion（Canberra）的專業(yè)技術(shù)，其性能超越了傳統(tǒng)的金硅面壘(SSB)型探測(cè)器和擴(kuò)散注入(DJ)型探測(cè)器，這兩種探測(cè)器的制造方法仍與 1960 年相同。

     PIPS 探測(cè)器相比 SSB 和 DJ 探測(cè)器具有許多優(yōu)勢(shì)：

     1、所有結(jié)邊緣都被隱藏在內(nèi)部，不需要使用環(huán)氧樹脂密封劑來保護(hù)；

     2、通過離子注入形成精確、薄、突變的結(jié)，確保了對(duì)α粒子具有良好的分辨率；

     3、入射窗堅(jiān)固耐用，易于清潔；

     4、漏電流通常只有 SSB 和 DJ 探測(cè)器的1/8到1/100；

     5、死層（窗口）厚度比SSB和DJ探測(cè)器更?。?/span>

     6、A450-18 AM（450mm2）標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器可加熱至100℃—特殊型號(hào)可更高。

      PIPS 探測(cè)器正面接觸面（入射窗口）是通過離子注入技術(shù)實(shí)現(xiàn)的，Mirion（Canberra）具有技術(shù)，可最大限度地做薄窗口厚度并精確控制氧化物的鈍化過程，可生產(chǎn)具有極薄入射窗口（<50 nm）的探測(cè)器，同時(shí)保持接觸面的堅(jiān)固性、可靠性和穩(wěn)定性。

      PIPS 探測(cè)器的薄窗口不僅提升了常規(guī)測(cè)量下的分辨率，而且在探測(cè)器與輻射源距離很近時(shí)其性能提升更為顯著。

  1、技術(shù)PIPS 探測(cè)器，入射窗薄≤50nm，高度穩(wěn)定性，極低漏電流、噪音及本底，表面可碰觸、清洗；

   2、自帶反沖抑制功能，有效地避免探測(cè)器污染（Canberra技術(shù)）；

   3、探測(cè)器有效厚度： 140μm，對(duì)于能量最高可達(dá)15MeV的alpha粒子，足以吸收，大大優(yōu)于市面上有效厚度僅為100μm的探測(cè)器；

   4、具有高分辨率；

   5、能夠耐受高達(dá)100°C的溫度；

   6、可重峰剝譜擬合分析；

   7、提供一個(gè)清潔的排氣口，可接入干燥清潔氣體排除濕氣及污染物。